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陶瓷基片上金属化能力

金属膜层

功能

制作方法

典型厚度范围

TaN/NiCr

电阻层

Sputter

5Ω/□~200Ω/□;温度系数:-20±60ppm(-50~150

TiW

黏附层/阻挡层

Sputter

20nm~80nm

Ti

黏附层

Sputter

20nm~80nm

Cr

黏附层

Sputter

20nm~80nm

Pt

阻挡层

Sputter

20nm~100nm

Ni

阻挡层

Sputter or plate

Sputter:0.1μm~1μm plate: 0.5μm~10μm

Cu

导体

Sputter or plate

Sputter:0.1μm~5μm plate: 1μm~10μm

Au

导体

Sputter or plate

Sputter:0.05μm~0.2μm plate: 0.3μm~10μm

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